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電子級超純水系統的關鍵技術是什么
電子級超純水（UPW）系統是半導體、光伏、顯示面板等行業的核心配套設備，其水質要求極為苛刻（如電阻率≥18.2 MΩ·cm），中國電子級超純水水質標準如下表。
表 1 電子級水的技術指標GB/T11446. 1— 2013
項 目 | 技術指標 | ||||
EW-Ⅰ | EW-Ⅱ | EW-Ⅲ | EW-Ⅳ | ||
電阻率(25℃)/MΩ · cm | ≥18 (5%時間不低于 17) | ≥15 (5%時間不低于 13) | ≥12. 0 | ≥0. 5 | |
全硅/(μg/L) | ≤2 | ≤10 | ≤50 | ≤1000 | |
微粒數/ (個/L) | 0. 05μm~0. 1 μm | 500 | — | — | — |
0. 1 μm~0. 2 μm | 300 | — | — | — | |
0. 2 μm~0. 3 μm | 50 | — | — | — | |
0. 3 μm~0. 5 μm | 20 | — | — | — | |
> 0. 5 μm | 4 | — | — | — | |
細菌個數/(個/mL) | ≤0. 01 | ≤0. 1 | ≤10 | ≤100 | |
銅/(μg/L) | ≤0. 2 | ≤1 | ≤2 | ≤500 | |
鋅/(μg/L) | ≤0. 2 | ≤1 | ≤5 | ≤500 | |
鎳/(μg/L) | ≤0. 1 | ≤1 | ≤2 | ≤500 | |
鈉/(μg/L) | ≤0. 5 | ≤2 | ≤5 | ≤1000 | |
鉀/(μg/L) | ≤0. 5 | ≤2 | ≤5 | ≤500 | |
鐵/(μg/L) | ≤0. 1 | — | — | — | |
鉛/(μg/L) | ≤0. 1 | — | — | — | |
氟/(μg/L) | ≤1 | — | — | — | |
氯/(μg/L) | ≤1 | ≤1 | ≤10 | ≤1000 | |
亞硝酸根/(μg/L) | ≤1 | — | — | — | |
溴/(μg/L) | ≤1 | — | — | — | |
硝酸根/(μg/L) | ≤1 | ≤1 | ≤5 | ≤500 | |
磷酸根/(μg/L) | ≤1 | ≤1 | ≤5 | ≤500 | |
硫酸根/(μg/L) | ≤1 | ≤1 | ≤5 | ≤500 | |
總有機碳/(μg/L) | ≤20 | ≤100 | ≤200 | ≤1000 | |
電子級超純水（UPW）系統技術難點主要集中在以下幾個方面：
一、原水預處理階段的挑戰
1、微量污染物去除：需去除膠體、有機物、微生物、溶解氣體（如CO?）等，傳統過濾技術難以穩定達到ppb級。
2、抗污染膜設計：超濾（UF）和反滲透（RO）膜需長期耐受高污染原水，防止膜孔堵塞和性能衰減。
3、化學藥劑兼容性：預處理中使用的殺菌劑、絮凝劑可能引入二次污染（如Na?、Cl?殘留）。
二、離子去除技術的極限要求
1、二級RO與EDI的協同優化：
反滲透（RO）需實現99.5%以上的脫鹽率，且需應對低TOC進水條件。
電去離子（EDI）需在無化學再生條件下持續產出超純水，但高純水環境下離子遷移效率降低，易出現“極化現象"。
2、痕量離子去除技術：對B、Si等弱電離物質的去除需特殊樹脂或電化學工藝（如除硼核級樹脂、除硅樹脂）。
三、微生物與TOC控制的矛盾
1、超低TOC要求：需聯合紫外氧化（185nm UV）、高級氧化（AOP）和特殊催化劑將有機物分解為CO?和水，但可能產生中間產物干擾。
2、微生物抑制：管道系統需避免生物膜滋生，需采用臭氧或熱消毒（80℃循環），但高溫可能加速材料腐蝕。
四、顆粒與溶解氣體的ppb級別去除
1、納米級顆?？刂疲航K端過濾需使用≤0.1μm的超濾膜或納米纖維濾芯，但壓差增大易導致顆粒釋放。
2、溶解氧/CO?脫除：真空脫氣膜或膜接觸器需將O?降至ppb級，CO?需通過高pH陰離子交換樹脂轉化。
五、系統設計與超純材料難題
1、超高潔凈材料：管道、閥門需采用電拋光316L不銹鋼或PVDF，表面粗糙度＜0.5μm，避免離子析出。
2、零死體積設計：循環系統需保持≥1 m/s流速防止滯留污染，但高流速可能引發顆粒脫落。
3、實時監測與反饋：在線傳感器（電阻率、TOC、顆粒計數器）需在超純水環境中保持精度，避免信號漂移。
六、 運行維護的穩定性
1、長期可靠性：樹脂、膜、EDI、過濾濾芯壽命受進水波動影響大，需預測性維護（如EDI電壓監控）。
卓水越電子級超純水
